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电子、新能源

超纯水电阻率≧15-18.25MΩ.cm@25℃达到国家电子行业标准,美国ASDTM标准。主要用于半导体材料、器件、集成电路、印刷电路板及太阳能光伏、单/多晶硅、蓝宝石等。  工艺流程:  一:絮凝+多介质+活性炭+保安+阳床+阴床+阳床+复床+UV185+254+抛光混床+微滤  二:絮凝+多介质+活性炭+阻垢+保安+单级反渗透+脱气超滤+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤  三:絮凝+多介质+活性炭+阻垢+保安+一级反渗透+PH+二级反渗透+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤  四:氧化剂+超滤系统+还原剂+阻垢+保安+单级反渗透+脱气超滤+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤  五:氧化剂+超滤系统+还原剂+阻垢+保安+一级反渗透+PH+二级反渗透+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤
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  超纯水电阻率≧15-18.25MΩ.cm@25℃达到国家电子行业标准,美国ASDTM标准。主要用于半导体材料、器件、集成电路、印刷电路板及太阳能光伏、单/多晶硅、蓝宝石等。
  工艺流程:
  一:絮凝+多介质+活性炭+保安+阳床+阴床+阳床+复床+UV185+254+抛光混床+微滤
  二:絮凝+多介质+活性炭+阻垢+保安+单级反渗透+脱气超滤+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤
  三:絮凝+多介质+活性炭+阻垢+保安+一级反渗透+PH+二级反渗透+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤
  四:氧化剂+超滤系统+还原剂+阻垢+保安+单级反渗透+脱气超滤+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤
  五:氧化剂+超滤系统+还原剂+阻垢+保安+一级反渗透+PH+二级反渗透+CDI+UV185+254+抛光混床+微滤
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